达拉斯和盐湖城15年2023月300日电 /美通社/ -- 德州仪器公司（TI）（纳斯达克股票代码：TXN）今天宣布计划在犹他州李海建造其下一个300毫米半导体晶圆制造厂（或晶圆厂）。新晶圆厂将位于LFAB李海现有的<>毫米半导体晶圆厂旁边。一旦完成，TI 的两座 Lehi 晶圆厂将作为一个晶圆厂运营。
TI执行副总裁兼首席运营官、即将上任的总裁兼首席执行官Haviv Ilan表示：“这家新晶圆厂是我们长期300毫米制造路线图的一部分，旨在建立客户未来几十年所需的产能。“我们决定在李海建造第二座晶圆厂，这突显了我们对犹他州的承诺，并证明了那里才华横溢的团队，他们将为 TI 未来的另一个重要篇章奠定基础。随着半导体在电子领域的预期增长，特别是在工业和汽车领域，以及《芯片和科学法案》的通过，现在是进一步投资我们内部制造能力的最佳时机。
这项具有里程碑意义的 11 亿美元投资标志着犹他州历史上最大的经济投资。Lehi 的扩建将创造大约 800 个额外的 TI 工作岗位以及数千个间接工作岗位。TI 期待加强与阿尔卑斯学区的合作伙伴关系，并将投资 9 万美元来改善学生的机会和成果。
“像德州仪器这样的公司继续在犹他州投资，因为我们拥有世界一流的商业环境和卓越的劳动力，”犹他州州长Spencer Cox说。“TI 的新半导体晶圆厂将巩固犹他州作为未来几代人的全球半导体制造中心的地位。”
李海是一个理想的地点，因为它拥有熟练的人才、强大的现有基础设施和强大的社区合作伙伴网络。新工厂每天将生产数千万个模拟和嵌入式处理芯片，这些芯片将用于世界各地的电子产品。
该晶圆厂的设计将满足能源与环境设计先锋（LEED）建筑评级系统的最高结构效率和可持续性水平之一：LEED金级。计划包括以比现有李海晶圆厂近两倍的速度回收水。Lehi 先进的 300 毫米设备和工艺将进一步减少每个芯片的浪费、水和能源消耗。
新晶圆厂预计将于2023年下半年开始建设，最早将于2026年投产。新晶圆厂的成本在TI之前宣布的扩大制造能力的资本支出计划中得到了理解，并将补充TI现有的300毫米晶圆厂，其中包括DMOS6（达拉斯）、RFAB1和RFAB2（均位于德克萨斯州理查森）以及LFAB（犹他州李海）。TI 还在德克萨斯州谢尔曼建造了四座新的 300 毫米晶圆厂。
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来源：德州仪器
